CVD/PECVD-Rohrofen

CVD/PECVD-Rohrofen

Dieser fortschrittliche CVD/PECVD-Rohrofen nutzt die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) zur Abscheidung hochwertiger Dünnschichten auf verschiedenen Substraten wie Metallen, Halbleitern und Isolatoren. Er eignet sich ideal für Anwendungen in der Mikroelektronik, Optoelektronik, Flachbildschirme und Energiespeicherung und kombiniert Präzisionsabscheidungsmöglichkeiten mit Zuverlässigkeit in Industriequalität.

Wesentliche Merkmale

• Ablagerungsleistung:
  • RF-Glimmentladungs-Technologie erreicht Abscheidungsraten von bis zu 10Å/s
  • Die fortschrittliche Mehrpunkt-RF-Zuführung gewährleistet die Gleichmäßigkeit der Dicke des 8% (3σ)
  • Chargenkonsistenz in Halbleiterqualität (<2% Substrat-zu-Substrat-Abweichung)
• Thermischer Entwurf:
  • Maximale Temperatur: 1200°C (FeCrAl-Heizdrähte)
  • Programmierbare 50-Segment-PID-Regelung (±1°C Genauigkeit)
  • Doppelwandiges luftgekühltes Gehäuse (Oberflächentemperatur <50°C)
• Prozesskontrolle:
  • Spezialisiertes Gasverteilungssystem für die gleichmäßige Zufuhr von Ausgangsstoffen
  • Überwachung der Plasmastabilität mit automatischer Impedanzanpassung
  • Kompatibel mit reaktiven Gasen (SiH₄, NH₃, usw.) und inerten Umgebungen
• Sicherheit und Langlebigkeit:
  • Doppeldichtungsflanschsystem aus Edelstahl 304
  • Einstellbare Flanschstützen für eine längere Lebensdauer des Quarzrohrs
  • Übertemperaturschutz und Erkennung von elektrischen Leckagen
  • Not-Aus-Funktionalität
• Vakuum-Leistung:
  • Grundvakuum: -0,1 MPa (7×10-⁴ Pa mit Molekularpumpenoption)
  • Trockenes Vakuumsystem verhindert Prozessverschmutzung

Standard-Konfiguration

• Hochreines Quarz-Ofenrohr (1 Stück)
• RF-Plasmagenerator (13,56 MHz)
• Vakuum-Dichtungsflansch-Baugruppe (1 Satz)
• Vakuum-Manometer (1 Stück)
• Drehschieber-Vakuumpumpe (1 Satz)
• Endstopfen (2 Stück)

Optionale Upgrades

• Fortschrittliches Gasregelsystem:
  • Mehrkanalige Massendurchflussregler (MFC)
  • Gasmischpult mit Echtzeitüberwachung
• Verbesserte Vakuumverpackung:
  • Turbo-Molekularpumpwerk
  • Kryogenes Abfallsystem
• 7-Zoll-HD-Touchscreen-Schnittstelle
• Schleusenkammer für schnellen Substratwechsel
• Optisches In-situ-Überwachungssystem

Typische Anwendungen

• Abscheidung von Siliziumnitrid/Oxid
• Amorphe Silizium-Dünnschichten
• Diamantähnliche Kohlenstoffbeschichtungen (DLC)
• Herstellung von Fotovoltaikzellen
• Verkapselung von MEMS-Geräten
• Herstellung flexibler Elektronik

Technische Vorteile

• Plasmaunterstützte Abscheidung für die Verarbeitung bei niedrigen Temperaturen
• Präzise Dickenkontrolle (±2% Chargenkonsistenz)
• Modularer Aufbau für einfache Prozess-Upgrades
• CE-zertifizierte Sicherheitskonformität
• Industrietaugliche Konstruktion für 24/7-Betrieb

Dieses CVD/PECVD-System bietet Forschern und Herstellern eine vielseitige Plattform für die hochpräzise Abscheidung von Dünnschichten. Die Kombination aus schnellen Abscheideraten, hervorragender Gleichmäßigkeit und Prozessstabilität macht sie ideal für Forschung und Entwicklung sowie für die Pilotproduktion.