Four tubulaire CVD/PECVD

Four tubulaire CVD/PECVD

Ce four tubulaire CVD/PECVD avancé utilise la technologie de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour déposer des couches minces de haute qualité sur divers substrats, notamment des métaux, des semi-conducteurs et des isolants. Idéal pour la microélectronique, l'optoélectronique, les écrans plats et les applications de stockage d'énergie, il combine des capacités de dépôt de précision avec une fiabilité de niveau industriel.

Caractéristiques principales

• Performance de dépôt:
  • La technologie de décharge luminescente RF permet d'atteindre des taux de dépôt allant jusqu'à 10Å/s
  • L'alimentation RF multipoint avancée garantit l'uniformité de l'épaisseur du 8% (3σ)
  • Cohérence des lots de qualité semi-conducteur (<2% de variation d'un substrat à l'autre)
• Conception thermique:
  • Température maximale : 1200°C (fils chauffants FeCrAl)
  • Régulation PID programmable sur 50 segments (précision de ±1°C)
  • Boîtier à double paroi refroidi par air (température de surface <50°C)
• Contrôle des processus:
  • Système de distribution de gaz spécialisé pour une distribution uniforme des précurseurs
  • Contrôle de la stabilité du plasma avec adaptation automatique de l'impédance
  • Compatible avec les gaz réactifs (SiH₄, NH₃, etc.) et les environnements inertes
• Sécurité et durabilité:
  • Système de bride à double joint en acier inoxydable 304
  • Supports de bride réglables pour une durée de vie prolongée du tube de quartz
  • Protection contre les surchauffes et détection des fuites électriques
  • Fonction d'arrêt d'urgence
• Performance du vide:
  • Vide de base : -0,1 MPa (7×10-⁴ Pa avec l'option pompe moléculaire)
  • Le système de vide sec empêche la contamination du processus

Configuration standard

• Tube de four en quartz de haute pureté (1 pièce)
• Générateur de plasma RF (13,56 MHz)
• Assemblage de la bride d'étanchéité au vide (1 jeu)
• Manomètre à vide (1 pc)
• Pompe à vide à palettes (1 jeu)
• Bouchons d'extrémité (2 pièces)

Améliorations optionnelles

• Système avancé de contrôle des gaz :
  • Régulateurs de débit massique multicanaux (MFC)
  • Panneau de mélange de gaz avec contrôle en temps réel
• Emballage sous vide amélioré :
  • Station de pompage turbomoléculaire
  • Système de piège cryogénique
• Interface tactile HD de 7 pouces
• Chambre de verrouillage des charges pour un échange rapide des substrats
• Système de surveillance optique in situ

Applications typiques

• Dépôt de nitrure/oxyde de silicium
• Couches minces de silicium amorphe
• Revêtements en carbone de type diamant (DLC)
• Fabrication de cellules photovoltaïques
• Encapsulation de dispositifs MEMS
• Fabrication de produits électroniques flexibles

Avantages techniques

• Dépôt assisté par plasma pour le traitement à basse température
• Contrôle précis de l'épaisseur (constance du lot ±2%)
• Conception modulaire pour une mise à niveau aisée des processus
• Conformité à la norme de sécurité certifiée CE
• Construction de qualité industrielle pour un fonctionnement 24/7

Ce système CVD/PECVD offre aux chercheurs et aux fabricants une plate-forme polyvalente pour le dépôt de couches minces de haute précision. Sa combinaison de vitesses de dépôt rapides, d'une excellente uniformité et de la stabilité du processus en fait un outil idéal pour les environnements de R&D et de production pilote.