수평 진공관로

수평 진공관로

This horizontal vacuum tube furnace utilizes either high-purity quartz or alumina ceramic tubes as the furnace chamber, offering a working temperature range of 300°C to 1600°C. Designed for precision thermal processing under vacuum or inert gas environments, it features advanced PID temperature control with exceptional thermal uniformity. Widely adopted in academic institutions, R&D centers, and industrial settings, this furnace supports high-temperature sintering, metal material processing, quality testing, and small-scale production applications.

주요 기능

• 최대 온도:
  • 1200°C(FeCrAl 열선)
  • 1400°C(SiC 발열체)
  • 1600°C(MoSi₂ 발열체)
• 정밀 제어: 50-segment programmable PID auto-tuning system with ±1°C accuracy
• Thermal Management:
  • 이중 벽 공랭식 하우징(표면 온도 <50°C)
  • Adjustable flange supports at both ends to extend furnace tube lifespan
• 안전 시스템:
  • 자동 전원 차단 기능으로 과열 보호
  • Electrical leakage detection and instant safety shutdown
  • 비상 정지 기능
• 진공 성능:
  • 기본 진공 수준: -0.1MPa
  • 옵션 분자 펌프 시스템으로 7×10-⁴ Pa의 최종 진공 달성
• 운영 매개변수:
  • 가열 속도 ≤20°C/min
  • Compatible with vacuum/inert gas atmospheres

표준 구성

• 고순도 석영/알루미나 퍼니스 튜브(1개)
• 304 stainless steel dual-seal flange assembly (1 set)
• 진공 압력 게이지(1개)
• 엔드 플러그(2개)
• 로터리 베인 진공 펌프(1세트)

선택적 업그레이드

• 향상된 진공 시스템(확산 펌프, 터보 분자 펌프)
• Precision gas control (mass flow controller, float flowmeter)
• 퀵 릴리스 플랜지 및 T 접합 구성 요소
• 7인치 HD 터치스크린 인터페이스

일반적인 애플리케이션

• Metal sintering and heat treatment
• Ceramic material synthesis
• 촉매 개발
• 분말 야금 가공
• 박막 증착
• Nanomaterial research

디자인 이점

• Modular configuration for flexible zone control
• Robust 304 stainless steel construction
• Energy-efficient insulation design
• 사용자 친화적인 프로그래밍 가능 인터페이스
• Compliance with CE safety standards

This furnace combines cutting-edge heating technology with comprehensive safety features, providing researchers and engineers with a reliable solution for demanding high-temperature applications. Its horizontal orientation facilitates easy sample loading/unloading and ensures excellent temperature uniformity across the processing chamber.